Add to wishlist

Transistor IGBT GT60N322 (60A 1000V) TOSHIBA

د.ج850.00

Rupture de stock

UGS : PMAP512488-1 Catégories : , ,

Avis

Il n’y a pas encore d’avis.

Seuls les clients connectés ayant acheté ce produit ont la possibilité de laisser un avis.

Produits similaires

Add to wishlist
Aperçu
Rupture de stock

Composants Electronique

AO 4604 SMD Transistor P channel / n channel Mode Field Effect

د.ج350.00
Lire la suite
Add to wishlist
Aperçu

Transistor bipolaire

Transistor Bipolaire NPN, BC547C 45V 100mA TO-92 HT

د.ج15.00
Ajouter au panier
Add to wishlist
Aperçu

Transistor à Effet de champ Mosfet

MOSFET N-Channel 4N60 SMD

د.ج100.00
Ajouter au panier
Add to wishlist
Aperçu
Rupture de stock

Composants Electronique

Transistor IGBT FGL40N120AN

د.ج650.00
Lire la suite
Add to wishlist
Aperçu
Rupture de stock

Transistor bipolaire

2N3055 15 A, 60 V NPN Transistor Bipolaire de puissance

د.ج280.00
Lire la suite
Add to wishlist
Aperçu
Rupture de stock

Transistor bipolaire

Transistor Bipolaire NPN BC337

د.ج15.00
Lire la suite
Add to wishlist
Aperçu
Rupture de stock

Transistor à Effet de champ Mosfet

Mosfet N-channel 12N60

د.ج120.00
Lire la suite
Add to wishlist
Aperçu

Transistor à Effet de champ Mosfet

MOSFET N-Channel AP9997GH SMD

د.ج180.00
Ajouter au panier
Valeur de commande >4000DA ⇒ frais de livraison gratuits
Transistor IGBT GT60N322 (60A 1000V) TOSHIBA

Rupture de stock