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Transistors IGBT

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Transistors IGBT de puissance en boîtiers TO-247, TO-220, TO-3P et D²PAK : 600 V, 650 V, 1200 V et plus, pour onduleurs, soudure à l'arc, induction et allumage automobile.

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Bien choisir son transistor IGBT

Un IGBT associe la commande en tension d'un MOSFET à la chute de tension faible d'un transistor bipolaire : c'est le composant de référence au-delà de 400 V, là où un MOSFET devient coûteux. Pour un remplacement, partez de la référence d'origine et comparez d'abord trois points : la tension collecteur-émetteur (VCES), le courant de collecteur et le boîtier.

  • Tension : 600 à 650 V pour un onduleur monophasé, une plaque à induction ou une alimentation à découpage (FGH40N60UFD, MBF15T65PEH, XNF19N60T) ; 1200 V et plus pour les variateurs triphasés et les postes de soudure (IHW40N120R3, MBQ40T120FES, FGL40N120ANDTU, HGTG20N100D2).
  • Diode intégrée : les suffixes du type FD / UFD / KD1 indiquent une diode antiparallèle (FGH60N60SFD, FGA60N60UFD, IRGIB10B60KD1P), indispensable sur charge inductive — moteur, transformateur, bobine.
  • Vitesse : les versions ultrafast ou fast (IRG4PC50FPbF, SGH80N60UFD) servent au découpage à quelques dizaines de kHz ; un IGBT lent suffit en 50 Hz.
  • Boîtier : TO-247 et TO-3P pour les fortes puissances, TO-220F isolé quand le radiateur est à la masse, D²PAK (TO-263) en montage CMS.

Les références dites « pour mémoire automobile » (ISL9V3040S3S, ISL9V5036S3S) sont conçues pour l'allumage : elles encaissent l'avalanche répétitive et ne se remplacent pas par un IGBT de découpage ordinaire. Les autres familles de puissance sont regroupées dans Transistors et DIAC.

Questions fréquentes

Quelle différence entre un IGBT et un MOSFET ?

Les deux se commandent en tension sur la grille, mais l'IGBT garde une chute de tension à peu près constante sous fort courant, ce qui le rend meilleur en haute tension (600 V et plus) et en fort courant. Le MOSFET reste préférable en basse tension et à très haute fréquence de découpage.

Peut-on remplacer un IGBT 600 V par un 1200 V ?

Oui du point de vue de la tenue en tension, à condition que le boîtier, le brochage et le courant correspondent. Sachez toutefois qu'un calibre 1200 V présente généralement une chute de tension en conduction plus élevée, donc un peu plus de pertes et de chauffe.

À quoi sert le « FD » ou « UFD » dans la référence ?

Ces suffixes signalent un IGBT avec diode de roue libre intégrée, plus ou moins rapide. Sur une charge inductive, cette diode évacue le courant au blocage ; sans elle, il faut en ajouter une en externe.

Quel IGBT pour une plaque à induction ou un onduleur ?

On utilise typiquement du 600 à 650 V avec diode intégrée et commutation rapide, dimensionné avec une marge de courant sur la valeur d'origine. Relevez la référence imprimée sur le composant défaillant et respectez le même boîtier pour garder le montage sur radiateur.

Pourquoi les prix varient autant d'un IGBT à l'autre ?

Le calibre tension-courant, la présence d'une diode, la vitesse de commutation et le fabricant (Infineon, ONSEMI, Renesas, Magnachip, SILAN…) font l'essentiel de l'écart. Un module rapide 1200 V n'est pas sur le même plan qu'un TO-220F de quelques ampères.